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LED芯片及封装设计生产最新研究动态-摘自《中国半导体照明网》

发布日期:2011-04-14 16:56:24

     Epistar的高压LED芯片

     LED产商Epistar展示了他们关于能让冷白色(5000k)LED达到162Lm/W的高电压LED芯片的研究结果。  

     该芯片被描述为一个单片集成,直流多阵列的高电压应用LED芯片。Epistar预计这个产品将成为普通照明的主流产品。 

     通过20mA的驱动电流和47V电压达到162Lm/W的发光效率,相应的功耗为0.94W.在这些条件下,45-mil的芯片可以产生152Lm.  

     Epistar说HV-LED相对于传统LED有着低电力需求和更高的插座效率,因为其强大的新高电压芯片的设计。据公司称,HV-LED对电压和电流变化的灵活性可以简化LED的包装和电路设计,从而使整体效率提高。  

  SMASH项目的进展  

  SMASH项目公开发表了第二封信。SMASH的目标是通过建立破坏性的方式通过纳米结构的材料制造LED,达到高效率和低成本的设备。这些目标会通过超低缺陷的纳米结构模板组成的LED的外延生长和基于纳米棒发射的LED结构的发展来完成。这些方法会对生产费用有很大的影响,因为它们允许大面积但是低成本的基板(比如说硅)的增长。  

  最为关键的一个步骤是MOVPE的。这是由OsramOptoSemiconductor与布伦瑞克技术大学紧密合作而一起完成的。  

   SMASH的网站和信都包含了一份2010年International Workshopon Nitride Semiconductors (2010年9月19-24)的总结。  

  Verticle展示了第一款六角形的LED芯片  

  SemiconductorToday上的一篇文章提到:座落在美国加州都柏林的Verticle公司发表了他们称作为第一款六角形的LED芯片。这种蜂窝型的LED芯片是竖向结构的,以InGaN为基础的蓝色LED芯片,它们是特别为高压应用制造的。CEOMike(M.C.)说,和传统的正方形或者长方形结构的LED芯片相比,一个六角形的芯片在各个方面比如成本,光输出效率和束流剖面都会获得收益。  

文章关键词:发光二极管、LED厂家、光电元件
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